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零件图片（仅供参考）
IXTK32P60P
规格参数
  • 制造商产品型号：IXTK32P60P
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET P-CH 600V 32A TO264
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：PolarP
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：32A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：350 毫欧 @ 16A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：196nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11100pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：890W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-264（IXTK）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IXTK32P60P
  • 原始制造厂商：IXYS
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 600V 32A TO264
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询IXTK32P60P的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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