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IXTA3N120TRL 零件图片（仅供参考）

IXTA3N120TRL
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IXTA3N120TRL 规格参数

  • IXYS公司完整型号：IXTA3N120TRL
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 欧姆 @ 1.5A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：200W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：TO-263 （IXTA）
  • IXTA3N120TRL，IXYS产品一站式供应商。
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IXTA3N120TRL 基本参数：

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