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IXSH60N65L2KHV 零件图片（仅供参考）

IXSH60N65L2KHV
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IXSH60N65L2KHV 规格参数

  • 型号:IXSH60N65L2KHV
  • 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
  • 封装:TO-247-4L
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:53 毫欧 @ 20A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 7.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94.7 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+20V，-5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 600 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:249W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-4L
  • 封装/外壳:TO-247-4
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IXSH60N65L2KHV 基本参数：

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