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IXGP2N100 零件图片（仅供参考）

IXGP2N100
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IXGP2N100 规格参数

  • 制造商产品型号：IXGP2N100
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1000V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：4A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：8A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，2A
  • 功率-最大值：25W
  • 开关能量：560J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：7.8nC
  • 25°C时Td（开/关）值：15ns/300ns
  • 测试条件：800V，2A，150 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3
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IXGP2N100 基本参数：

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