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IXGH85N30C3 零件图片(仅供参考)

IXGH85N30C3
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IXGH85N30C3 规格参数

  • 制造商产品型号:IXGH85N30C3
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:IGBT 300V 75A 333W TO247AD
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:GenX3
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):300V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):75A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):420A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,85A
  • 功率-最大值:333W
  • 开关能量:200J(开),390J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:136nC
  • 25°C时Td(开/关)值:25ns/100ns
  • 测试条件:200V,42.5A,3.3 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • IXGH85N30C3,IXYS产品一站式供应商。
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IXGH85N30C3 基本参数:

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