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IXFN130N30 零件图片（仅供参考）

IXFN130N30
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IXFN130N30 规格参数

  • IXYS公司完整型号：IXFN130N30
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
  • 系列：HiPerFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：300V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：130A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：380nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：700W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：SOT-227B
  • IXFN130N30，IXYS产品一站式供应商。
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IXFN130N30 基本参数：

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