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规格参数
制造商产品型号：IXFI7N80P制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）描述：MOSFET N-CH 800V 7A TO262系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：HiPerFET, PolarHT零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：800V25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.44 欧姆 @ 3.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1890pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：200W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-262（I2PAK）IXFI7N80P，IXYS产品一站式供应商。
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