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IXDA20N120AS 零件图片(仅供参考)

IXDA20N120AS
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IXDA20N120AS 规格参数

  • 制造商产品型号:IXDA20N120AS
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:NPT
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):38A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):-
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):3V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:200W
  • 开关能量:3.1mJ(开),2.4mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:70nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-
  • 测试条件:600V,20A,82 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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IXDA20N120AS 基本参数:

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