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IX4R11M6T/R 零件图片（仅供参考）

IX4R11M6T/R
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IX4R11M6T/R 规格参数

  • 制造商产品型号：IX4R11M6T/R
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLP
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：10V ~ 20V
  • 逻辑电压-VIL，VIH：6V，7V
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：4A，4A
  • 输入类型：非反相
  • 高压侧电压-最大值（自举）：650V
  • 上升/下降时间（典型值）：23ns，22ns
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：16-VDFN 裸焊盘
  • IX4R11M6T/R，IXYS产品一站式供应商。
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IX4R11M6T/R 基本参数：

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